******的碳化硅是1891年在美國發(fā)現(xiàn)的，由于當時人們對碳化硅不了解，以為是金剛石的混合體。到了1893年，碳化硅開始了工業(yè)生產(chǎn)。碳化硅作為一種新材料，在半導體行業(yè)中也有應用。今天，我們就來為大家介紹下碳化硅的制備方法。
　　無壓燒結被認為是SiC燒結***有前途的燒結方法，通過無壓燒結工藝可以制備出復雜形狀和大尺寸的SiC部件。根據(jù)燒結機理的不同，無壓燒結又可分為固相燒結和液相燒結。對含有微量SiO2的β-SiC可通過添加B和C進行常壓燒結，這種方法可明顯改善SiC的燒結動力學。摻雜適量的B，燒結過程中B處于SiC晶界上，部分與SiC形成固溶體，從而降低了SiC的晶界能。摻雜適量的游離C對固相燒結有利，因為SiC表面通常會被氧化有少量SiO2生成，加入的適量C有助于使SiC表面上的SiO2膜還原除去，從而增加了表面能。然而#對液相燒結會產(chǎn)生不利影響，因為C會與氧化物添加劑反應生成氣體，在陶瓷燒結體內(nèi)形成大量的開孔，影響致密化進程。SiC的燒結工藝中，原料的純度、細度、相組成十分重要。S。Proehazka通過在超細β-SiC粉體（含氧量小于2%）中同時加入適量B和C的方法，在2020℃下常壓燒結成密度高于98%的SiC燒結體。但SiC-B-C系統(tǒng)屬于固相燒結的范疇，需要的燒結溫度較高，并且斷裂韌性較低，斷裂模式為典型的穿晶斷裂，晶粒粗大且均勻性差。國外對SiC的研究焦點主要集中于液相燒結上，即以一定數(shù)量的

　　碳化硅的制備方法還有很多，這里我們?yōu)榇蠹医榻B的是***常用的一種。其他的碳化硅方法有熱壓燒結和靜壓燒結等。